星空体育app官网下载-九峰山实验室在氮极性氮化镓材料制备领域取得新突破
2025-05-18
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据九峰山实验室官微消息，近日，九峰山实验室科研团队在全球首次实现8英寸硅基氮极性氮化镓（N-polar GaNOI）高电子迁移率材料的制备。该成果将助力射频前端等系统级芯片在频率、效率、集成度等方面越级提升，为下一代通信、自动驾驶、雷达探测、微波能量传输等前沿技术发展提供有力支撑。据悉，九峰山实验室此技术成果，是全球首次在8英寸硅衬底上实现氮极性氮化镓高电子迁移率功能材料（N-polar GaNO
